Laboratory of Nanoelectronics and Nanomaterials

El Laboratorio de Nanoelectrónica y Nanomateriales ubicado en el edificio multiusos de I+D+i y algunos laboratorios en las Facultades de Ciencias y Ciencias Químicas es un servicio de apoyo ofertado por la unidad de investigación de Excelencia de Nanoelectrónica y Nanomateriales de la Universidad de Salamanca, USAL-NANOLAB.

Esta unidad desarrolla trabajos de preparación, caracterización, producción y simulación de nanomateriales de alto valor tecnológico diseñados con el objetivo de ser utilizados en dispositivos optoelectrónicos, spintrónicos, nanodiodos semiconductores, transistores de efecto campo, sensores químicos, sensores de gases, recubrimientos, etc.

El laboratorio dispone de un conjunto de equipos de investigación e instalaciones entre las que se encuentra una Sala Blanca de 120 m2 y diferentes laboratorios de fabricación y caracterización de nanoelectrónica y nanomateriales.

Como Unidad Asociada a Nucleus, se presta servicio de apoyo a la investigación sobre:

1. Servicios de Procesado

1.1. Tratamiento Químico, Mecánico y procesado

1.1.1. Limpieza: orgánicos, ácidos, bases, Plasma cleaner

1.1.2. Secado: punto crítico, soplado

1.1.3. Corte

1.1.4. Ataque seco (RIE/ICP)

1.1.5. Ataque Húmedo

1.1.6. Aleado convencional

1.1.7. Aleado rápido, RTA

1.2. Litografía

1.2.1. Nanolitografía

1.2.2. Fotolitografía

1.2.3. Litografía electrónica (eBL)

1.2.4. Diseño de máscara SEM

1.3. Depósito de películas y nanomateriales

1.3.1. Spin coating.

1.3.2. Crecimiento térmico de óxidos: óxido de Silicio, óxido de Aluminio

1.3.3. Evaporadora e-beam (SiO2, h-BN, etc.)

1.3.4. Evaporadora por cañón de electrones (Au, Pt, Ti, Al, etc.)

1.3.5. Langmuir-Blodgett y Langmuir-Schaefer

1.3.6. Exfoliación de grafeno y materiales 2D

1.3.7. Heteroestructuras de grafeno/h-BN y otros materiales 2D

1.4. Soldadura y encapsulado

1.4.1. Soldadura: Preparación del dispositivo, Cableado con hilo de Au, Cableado con hilo de Al

1.4.2. Encapsulado DIL-8PIN y otros encapsulados.

2. Servicios de Caracterización.

2.1. Caracterización óptica y Terahercio

2.1.1. Medidas de espectros de FTIR (300-8000 cm-1).

2.1.2. Medidas de espectros de FTIR (10-600 cm-1 con 4K bolómetro de Si)

2.1.3. Interpretación/búsqueda de espectros IR en base de datos

2.1.4. Obtención e interpretación de espectros Micro-Raman

2.1.5. Preparación de muestras

2.1.6. Medidas de THz time domain spectroscopy a temperature ambiente.

2.1.7. Medidas de eficiencia cuántica (200-1100 nm)

2.1.8. Medidas de transmitancia y reflectancia

2.1.9. Medidas en simulador solar

2.1.10. Medidas de imagen en THz a 150 y 300 GHz

2.1.11. Medidas de THz a bajas temperaturas (3K-RT)

2.2. Caracterización eléctrica, ruido y alta frecuencia

2.2.1. Medidas de características DC on wafer/con conectores

2.2.2. Medidas de características pulsadas on wafer/con conectores

2.2.3. Medidas de características RF (hasta 43.5 GHz) on wafer/con conectores

2.2.4. Medidas de ruido (hasta 43.5 GHz) on wafer/con conectores

2.3. Magnetotransporte y bajas temperaturas

2.3.1. Magnetotransporte 3He (0.3K-300K)

2.3.2. Medidas Hall a temperatura ambiente

2.3.3. Magnetotransporte Dilución 4He/ 3He (0.01K-30K)

2.3.4. Caracterización DC/AC en función de la temperatura baja impedancia

2.3.5. Caracterización DC/AC en función de la temperatura alta impedancia

2.3.6. Medidas I-V, C-V, R-Vpuerta a temperatura entre 0.01 K y RT

2.4. Caracterización Química, estructural y microscopia

2.4.1. Fotografía Microscopio de contraste (fichero electrónico)

2.4.2. Preparación estudio SEM

2.4.3. Caracterización EDX en SEM con referencia

2.4.4. Caracterización superficies en SEM

2.4.5. Perfilometría de superficie (sin procesado) Perfilómetro Brucker 3D

2.4.6. Determinación de tamaños en disolución. Dynamic light scattering.

2.4.7. Caracterización de la carga superficial en disolución. Potencial zeta.

2.4.8. Síntesis y caracterización química de grafeno y derivados

 

Contacto:

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